随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、、、、高可靠性功率器件需求的不断攀升，，功率半导体技术正面临新一轮革新。
。。为应对市场对更低损耗、、、、更高功率密度解决方案的迫切需求
，，
，，安格陆科技旗下子公司虹安微电子重磅推出首代150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品 — HAG040TN15。。。该产品凭借3.2mΩ的超低导通电阻与230A的强大电流能力
，，，成为高端BMS、
、电驱及DC-DC转换应用领域的性能标杆。
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产品核心参数

产品核心特点

1.极致低阻设计

该150V平台产品采用先进的屏蔽栅沟槽技术，
，，在150V电压等级下实现了75mΩ*mm2的业界领先比导通电阻能力
，，，，3.2mΩ产品对应8寸晶圆颗粒数可达950粒
。。。。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，，，，直接提升系统整体效率，，并降低温升。。

2.采用先进封装技术

该产品采用TOLL先进封装，，通过优化封装工艺，
，结-壳热阻Rthjc典型值低至0.21℃/W
，，先进的封装技术为产品提供了优异的散热通道，，，，进而提升器件的功率输出能力。。。

3.超强电流承载能力

在25°C壳温下，，，
，连续漏极电流高达230A，
，，脉冲电流能力更达到978A。。。。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、、、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，，系统可靠性与鲁棒性倍增。
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4.精准聚焦应用

超低导通电阻使得静态性能上优势明显，，
，而在VCC=120V的母线电压短路耐量测试中，
，短路时间可达9μs
。。
。这对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS（电池管理系统）与电机驱动领域提供性能支持。。。

产品典型应用

• BMS

• 电机驱动

• DC-DC转换器

• 同步整流SR

• 不间断电源UPS

• 光伏板MPPT转换